特許
J-GLOBAL ID：200903082379368559

低熱膨張セラミックス及びこれを用いた半導体製造装置用部品並びにミラー

発明者：
竹之内 一憲

竹之内 一憲 について

, 
中原 正博

中原 正博 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395382
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192429
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】極紫外線投影露光技術(EUVL)を用いた露光装置内に配置され、露光処理に際し、高い熱量を受ける半導体製造用部品として用いられ、熱変形を受けにくく、輻射による伝熱の大きなセラミックスを提供する。【解決手段】0〜20°Cにおける熱膨張係数が1×10-6/°Cであって、波長3.33〜25.42μmにおける平均放射率が80%以上である低熱膨張セラミックスとする。
請求項（抜粋）：
0〜20°Cにおける熱膨張係数が1×10-6/°C以下であって、波長3.33〜25.42μmにおける平均放射率が80%以上であることを特徴とする低熱膨張セラミックス。
IPC (2件)：
C04B 35/195 ,  H01L 21/68
FI (2件)：
H01L 21/68 N ,  C04B 35/16 A
Fターム (16件)：
4G030AA07 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA14 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA14 ,  4G030BA21 ,  4G030BA24 ,  4G030CA01 ,  4G030HA18 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031MA27 ,  5F031NA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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