特許
J-GLOBAL ID：200903082398993103
磁石不使用ファラデー回転子の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-287104
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【目的】 磁気補償温度が10°Cから40°Cの範囲にあるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶にて、所定のファラデー回転角を示すものとする。【構成】 ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の磁気補償温度よりも20°C以上高いかまたは低い温度で1,000(Oe)以上の磁界を加える。【効果】 磁気補償温度が室温付近にあるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶から、歩留まりよく、磁石を用いないファラデー回転子が得られた。
請求項（抜粋）：
液相エピタキシャル法によって非磁性ガーネット基板上に育成され、磁気補償温度が10°Cから40°Cの範囲にあるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を用いた角型ヒステリシスを有するファラデー回転子の製造法において、該角型ヒステリシスの付与を、該磁気補償温度よりも20°C以上高い温度もしくは20°C以上低い温度で1,000(Oe)以上の磁界を該ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の膜面の垂直方向に加えることにより行う磁石不使用ファラデー回転子の製造法。
Fターム (4件)：
2H079AA03
, 2H079BA02
, 2H079CA06
, 2H079DA12
