特許

J-GLOBAL ID：200903082400265331

バイアホール形成方法および装置

発明者： 村上 進午
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241332
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082803
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 製造プロセスを変更することなく高品質のバイアホールを形成する。【解決手段】 導体配線22上に絶縁膜21が被覆された試料3に対して連続励起QスイッチNd:YAGレーザの第四高調波光(FH光)を照射して、絶縁膜21表面に、フラッシュランプ励起QスイッチNd:YAGレーザの第二高調波光(SH光)8を吸収する薄膜23を形成する。形成された薄膜23に対してSH光8を照射することによって、その薄膜23下部の絶縁膜21を除去するものである。

請求項（抜粋）：

導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第1のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去することによってバイアホールを形成する方法であって、前記絶縁膜表面に、前記第1のレーザ光を吸収する薄膜を形成する第1の工程と、前記薄膜に対して前記第1のレーザ光を照射することによって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第2の工程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331540   出願人：日本電気株式会社