特許

J-GLOBAL ID：200903082432975993

ガス放電パネルの製造方法

発明者： 塩川 晃 ,  東野 秀隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389142
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187693
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 ガス放電パネルにおいて、パネル中に封入される放電ガスに混入される不純物ガスを減らすことを目的とする。【解決手段】 製膜中に反応性ガスを導入する反応性ガス導入口15を設けた製膜室14と、この製膜室14と基板投入部11との間に設けられかつ基板ホルダーに保持された基板を加熱する予備加熱室16と、製膜室14と基板取出部18との間に設けられかつ製膜後の基板を冷却するための冷却室と、各室を所定の真空度にするための真空ポンプ27〜31と、各室間に設けられたゲートバルブ21〜26とを備えている。これにより、保護膜中から放電ガス中へ出る不純ガスの量を減少させる。

請求項（抜粋）：

基板上に保護膜を形成するガス放電パネルの製造方法において、基板を製膜室に配置し、保護膜を形成する際に、製膜中にのみ反応性ガスを製膜室に導入することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 11/02

FI (2件)：

H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B

Fターム (9件)：

5C027AA07 ,  5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GB03 ,  5C040GE09 ,  5C040JA07 ,  5C040JA21 ,  5C040JA23 ,  5C040MA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化マグネシウム膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135959   出願人：中外炉工業株式会社
• 蒸着方法及び蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138998   出願人：富士通株式会社
• 特開昭64-019616
  
• 特開昭64-019616