特許
J-GLOBAL ID：200903082434838403
エリプソメトリ及びエリプソメータ、形状測定方法および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359436
公開番号（公開出願番号）：特開平11-316187
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄膜の屈折率と膜厚を評価するエリプソメトリにおいて、重回帰分析を適用し、重回帰式を用いることにより、屈折率と膜厚の計算速度を向上させることを目的とする。【解決手段】 エリプソメトリにおいて、重回帰分析を行なって重回帰式を求め、薄膜の膜厚と屈折率を該重回帰式を用いてΔとΨの関数として近似する。そして、実測したΔとΨの測定値と該関数を用いて該薄膜の膜厚と屈折率を求める。
請求項（抜粋）：
薄膜測定を行う試料表面から反射される楕円偏光のパラメータであって、下式により定義される位相ずれ(Δ)と主軸の変位(Ψ)を測定し、それぞれ対応する実測値のδ値とφ値から該薄膜の膜厚と屈折率を求めるエリプソメトリにおいて、前記の膜厚と屈折率を前記のΔとΨの関数として近似し、該関数を用いて該δ値とφ値から該薄膜の膜厚と屈折率を求めることを特徴とするエリプソメトリ。【数1】【数2】
IPC (3件)：
G01N 21/23
, G01B 11/06
, H01L 21/66
G01N 21/23
, G01B 11/06 G
, H01L 21/66 J
