絶縁膜の形成方法、並びに圧電体デバイス、強誘電体デバイス、及び電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135974
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】所望の平面形状の高い絶縁特性を有する絶縁膜を容易且つ安価に形成することができる絶縁膜の形成方法等を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板等の基板10上に自己組織化単分子膜12aを形成することで高親和性領域A1及び低親和性領域A2を形成する。これらの領域のうちの高親和性領域A1のみに絶縁材料を供給して所望の平面形状を有する絶縁膜14を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に所定平面形状の絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、前記絶縁膜を形成するための絶縁材料に対して高い親和性を有する第1領域と、前記第1領域に比して前記絶縁材料に対する親和性が低い第2領域とを前記基板上に形成する工程と、前記基板上に前記絶縁材料を供給し、前記第1領域に前記絶縁材料を配置して前記所定平面形状の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187

FI (9件)：

H01L21/316 B , H01L41/08 C , H01L41/08 D , H01L41/18 101B , H01L41/18 101D , H01L41/18 101F , H01L27/10 444B , B41J3/04 103H , B41J3/04 103A

Fターム (32件)：

2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP23 , 2C057AP31 , 2C057AP42 , 2C057AP52 , 2C057AP53 , 2C057AP57 , 2C057AQ02 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 5F058AF04 , 5F058AF06 , 5F058AF10 , 5F058AG01 , 5F058BA02 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF41 , 5F083FR02 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA45 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

強誘電体メモリ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-199987 出願人：セイコーエプソン株式会社

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