特許

J-GLOBAL ID：200903082477920120

強誘電体層を有する層構造体、および層構造体の製造方法

発明者： ライナー ブルフハウス ,  ダナ ピッツァー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-508367
公開番号（公開出願番号）：特表2000-515329
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】基板と白金層と強誘電体層とを有する層構造体において、白金層と基板の間の接着性を改善するために、アモルファス酸化アルミニウムから成る中間層が設けられる。この中間層により強誘電体層のモルフォロジーが改善され、層構造体の均一性が保証される。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板(S)と、白金層(PS)と、白金層(PS)上に形成された強誘電体層(FS)とを有しており、 前記基板(S)と白金層(PS)との間にアモルファスAl2O3の中間層(ZS)が形成されている、 ことを特徴とする層構造体。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H01L 41/08 L ,  H01L 21/316 X ,  H01L 41/08 J ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-147992   出願人：三菱電機株式会社