特許

J-GLOBAL ID：200903082495746994

気相薄膜成長装置のサセプタおよび該サセプタを用いた気相薄膜成長装置

発明者： 鳥觜 修治 ,  大橋 忠 ,  岩田 勝行 ,  荒井 秀樹 ,  室伏 祥卓 ,  高橋 英則
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185490
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に薄膜を形成する際、金属等の不純物を含んだガス気流の舞い上がりによる半導体基板の汚染を低減することができるサセプタおよびそれを配備した気相薄膜成長装置を提供する。【解決手段】 サセプタには、サセプタ2の回転時に、その裏面側に沿って中心部から周縁部に向かって流れる雰囲気ガス気流を下方に誘導する整流部、例えば、サセプタ裏面周縁部に下方に突き出した環状周壁2aが設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板を上面に載置して回転可能に設けられた気相薄膜成長装置のサセプタにおいて、前記サセプタの裏面周縁部に、前記裏面から突出した整流部が設けられ、サセプタ回転時にサセプタの裏面に沿ってその中心部から周縁部に向かって流れる雰囲気ガスの気流を、前記整流部によって下方に誘導することを特徴とする気相薄膜成長装置のサセプタ。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

Fターム (15件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030CA04 ,  4K030EA11 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  5F045AA03 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-082015
  
• 半導体気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197101   出願人：株式会社東芝