特許
J-GLOBAL ID：200903082511321826

半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法

発明者：
安部 克則

安部 克則 について

, 
渥美 欣也

渥美 欣也 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256645
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243259
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 大出力用のものにおいて、活性層での注入電流の閉じ込めと光密度分布のピーク位置が重なることによる転位などの劣化の発生を抑制する。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-GaAs層2,n-Al0.4Ga0.6Asの第1のクラッド層3,n-Al0.2Ga0.8Asの第1の光ガイド層4,AlGaAs/GaAs多重量子井戸構造を有する活性層5,p-Al0.3Ga0.7Asの第2の光ガイド層6,p-Al0.5Ga0.5Asの第2のクラッド層7,p-GaAs層8を順次積層し、メサ状に形成して絶縁膜9,電極10,11などを形成する。活性層5に対して両側の各層の屈折率が非対称に設定されるので、光密度分布のピーク位置を活性層5からシフトさせることができ、劣化を抑制して長期信頼性を図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層を含んだ複数の半導体層を積層形成してその活性層をダブルヘテロ構造とした構成の半導体レーザにおいて、前記複数の半導体層のうちの前記活性層の上下に位置する半導体層の屈折率を異なるように形成したことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 特開平4-186687
  • 特開昭63-060582
  • 特開平3-209897
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