特許

J-GLOBAL ID：200903082516243823

半導体装置とその製法

発明者： 深谷 均
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014321
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210642
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 ボンディングパッド電極に接続されたプローブパッド電極を有する半導体装置において、検査用プローブの反復使用に伴うプローブとプローブパッド電極との接触不良をなくす。【解決手段】 半導体基板10を覆う絶縁膜12の上に配線層14を介して層間絶縁膜16を形成する。絶縁膜16には、接続孔16aを設けると共に電極孔16bを設ける。基板上面にW(タンダステン)等の高硬度導電材を堆積してエッチバックすることにより電極孔16b内にプローブパッド電極18を形成する。基板上面にAl合金等の導電材を堆積してパターニングすることにより接続孔16aを介して配線層14につながるボンディングパッド電極20と、この電極20を電極18に接続する接続層20Aとを形成する。電極18は、W層18aと同様に形成したり、電極20の一部としてのTiN膜を用いて形成したりしてもよい。

請求項（抜粋）：

ボンディングパッド電極に接続されたプローブパッド電極を有する半導体装置であって、前記プローブパッド電極を前記ボンディングパッド電極より高硬度の導電材で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/88 T

Fターム (26件)：

4M106AA01 ,  4M106AD03 ,  4M106AD08 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106AD14 ,  4M106AD24 ,  4M106AD30 ,  4M106BA01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033KK07 ,  5F033MM26 ,  5F033MM28 ,  5F033NN37 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体チップおよびそれを用いた半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-255545   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-278848   出願人：シチズン時計株式会社