特許
J-GLOBAL ID：200903082517376541
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222065
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088363
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】液晶表示パネルなどに利用される薄膜トランジスタを備えた半導体装置の薄膜トランジスタのオン/オフ特性を改善する。【構成】絶縁性層1上に形成され、且つソース領域2s及びドレイン領域2dよりも薄く形成されたチャネル領域2aを有する多結晶半導体膜2と、多結晶半導体膜2のチャネル領域2a上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6とを含む。
請求項（抜粋）：
絶縁性層上に多結晶半導体膜を形成する工程と、チャネル領域に窓を有するマスクを前記多結晶半導体膜の上に形成する工程と、前記マスクの窓を通して前記チャネル領域の前記多結晶半導体膜を選択的に薄層化する工程と、ゲート絶縁膜となる絶縁材料とゲート電極となる導電材料を順に形成する工程と、前記マスクを剥離することにより前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のパターンを形成する工程と、前記ゲート電極をマスクに使用して前記多結晶半導体膜に不純物を導入して前記チャネル領域の両側にソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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