特許
J-GLOBAL ID：200903082520324870
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233486
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151797
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の発光出力を高め、さらに閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層中にはn型不純物及び/又はp型不純物がドープされており、さらに前記レーザ素子の発光スペクトル中には縦モードの発光ピークとは異なる複数の発光ピークを有する。
請求項（抜粋）：
インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層は、In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X≦1)よりなる井戸層と、In<SB>X</SB><SB>’</SB>Ga<SB>1-X’</SB>N(0<X'≦1、X'<X)よりなる障壁層が積層され、かつ前記活性層の1つの井戸層においてIn組成の多い領域とIn組成の少ない領域とを有し、かつ前記井戸層中にn型不純物及びp型不純物のうちの少なくとも一方がドープされて、かつ前記活性層に接して、Alを含むp型の窒化物半導体からなる第1のp型層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610
, H01L 21/20
H01S 5/343 610
, H01L 21/20
5F052DA04
, 5F052DA10
, 5F052KA03
, 5F073AA02
, 5F073AA44
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073EA23
