特許
J-GLOBAL ID：200903082525660232
プラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244351
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092640
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【構成】 エッチングガスとしてフッ化炭素ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用い、フッ化炭素ガスに対する酸素含有ガスの流量比を小さくしておいてまずSi窒化膜16の段差上部16a、段差部16b直上までSi酸化膜17をエッチングした後、酸素含有ガスの流量比を大きくしてSi窒化膜16の段差部16b間にあるSi酸化膜17をエッチングするプラズマエッチング方法。【効果】 段差上部16a〜段差下部16cを有するSi窒化膜16上のSi酸化膜17のみにエッチング処理を確実に施すことができ、ゲート電極13にダメージを与えることなく、ゲート電極13間に微細なコンタクトホール55を正確、かつ容易に形成することができる。
請求項（抜粋）：
ガスプラズマを利用して段差のあるSi窒化膜上のSi酸化膜をホールエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングガスとしてフッ化炭素ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用い、前記フッ化炭素ガスに対する前記酸素含有ガスの流量比を小さくしてまず前記Si窒化膜の段差直上までSi酸化膜をエッチングした後、前記酸素含有ガスの流量比を大きくして前記Si窒化膜の段差間にあるSi酸化膜をエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/768
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 E
, H05H 1/46 C
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 F
, H01L 21/90 C
