特許

J-GLOBAL ID：200903082527465046

クランプ回路及びこれを備えた半導体装置

発明者： 鹿島 雅人
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406690
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167865
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 温度特性の良好なクランプ回路を提供する。【解決手段】 クランプ部2は、基準電圧部1から基準電圧VREFを受けてクランプを行う。クランプ時にクランプ端子Tcに出力されるクランプ電圧VCLPは、VCLP=(R3/R2)×VBEP+(VBEP-VBEN)で与えられる。ここで、NPNトランジスタQ2は、PNPトランジスタQ1と同じ温度特性を持っているので、(VBEP-VBEN)の項では、温度変化に伴う両バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の電圧変動分は相殺される。さらに、抵抗素子R2の抵抗値を抵抗素子R3の抵抗値よりも充分大きくすることで、係数R3/R2が小さくなり、(R3/R2)×VBEPの項のVBEPの温度変化に伴う電圧変動分が充分小さくなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

出力電圧をクランプするクランプ回路において、 所定のバイアス電圧が印加されたPNPトランジスタを有し、温度変化に伴う前記PNPトランジスタの電圧変動分を含む基準電圧を出力する基準電圧部と、 前記PNPトランジスタと同じもしくはほぼ同じ温度特性を持つNPNトランジスタを有し、前記基準電圧を受けて、前記温度変化に伴う前記NPNトランジスタの電圧変動分を前記基準電圧に含まれる前記PNPトランジスタの電圧変動分で補償したクランプ電圧を出力するクランプ部と、 を有することを特徴とするクランプ回路。

IPC (1件)：

H03G11/00

FI (2件)：

H03G11/00 A ,  H03K5/00 C

Fターム (10件)：

5J030CB07 ,  5J030CC00 ,  5J030CC06 ,  5J039DA03 ,  5J039DA08 ,  5J039DC05 ,  5J039KK37 ,  5J039MM02 ,  5J039MM07 ,  5J039MM16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 交流-直流変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252470   出願人：日本モトローラ株式会社

審査官引用 (7件)

• 交流-直流変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252470   出願人：日本モトローラ株式会社
• 特公平7-121090
  
• 駆動回路制御装置及び携帯端末装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-068487   出願人：埼玉日本電気株式会社
• 特公平7-121090
  
• トランジスタ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358011   出願人：三菱電機株式会社
• 電流制限回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014377   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭57-183122