エッチング終点検出方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊沢敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357679
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 Al合金層、TiN層又はこれらの層の積層等のプラズマエッチングにおいて反応生成物による汚れの影響を受けにくいエッチング終点検出方法を提供する。【解決手段】下から順にTiN層、AlCu合金層及びTiN層を重ねた積層を塩素系ガスを用いてプラズマエッチングする際に波長が396.2nmより長い活性種の発光をモニターし、その発光強度の変化に基づいてエッチング終点を検出する。例えば、703nm、836nm、837.6nm等の長波長の光は、396.2nm等の短波長の光に比べてプラズマエッチング時の反応生成物に対する透過率が高いので、エッチング反応室の終点検出窓に反応生成物が付着しても、安定した終点検出が可能である。

請求項（抜粋）：

Al系金属層、TiN系導電層又はこれらの層の積層を塩素系ガスを用いてプラズマエッチングする際に活性種の発光をモニターし、その発光強度の変化に基づいてエッチング終点を検出するエッチング終点検出方法であって、前記活性種の発光として396.2nmより長い波長の光をモニターすることを特徴とするエッチング終点検出方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G01N 21/62 , G01N 21/71

FI (5件)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F , G01N 21/62 Z , G01N 21/71 , H01L 21/302 G

Fターム (32件)：

2G043AA03 , 2G043BA01 , 2G043BA03 , 2G043CA07 , 2G043DA01 , 2G043EA08 , 2G043GA08 , 2G043GB21 , 2G043HA01 , 2G043JA01 , 2G043KA05 , 2G043LA01 , 4K057DA14 , 4K057DB05 , 4K057DD01 , 4K057DE04 , 4K057DE20 , 4K057DG13 , 4K057DG15 , 4K057DJ02 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA25 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB12 , 5F004EB02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-244623
ドライエッチング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-103752 出願人：日本電気株式会社
特開平3-161930

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