特許

J-GLOBAL ID：200903082575946161

発光素子用エピタキシャルウェハ及び発光素子

発明者： 大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-362675
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164569
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】電流拡散層から活性層側へのp型ドーパントの拡散を抑え、高出力化を達成することのできる発光素子用エピタキシャルウェハ及び発光素子を提供すること。【解決手段】n型GaAs基板1上に、n型(Seドープ)AlGaInPクラッド層3と、アンドープAlGaInP活性層4と、p型(Znドープ)AlGaInPクラッド層5と、p型電流拡散層6とを積層した構造の発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、又は上記基板1の裏面と上記p型電流拡散層表面の一部に電極を設けた構造の発光素子において、ウインドウ層たる上記p型電流拡散層6を多層化し、組成の異なる半導体材料からなる4層以上の多層構造(多層電流拡散層7)とする。

請求項（抜粋）：

n型導電性を有するGaAs基板上に、AlGaInP系材料からなるn型クラッド層と、該クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さいAlGaInP系材料からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型AlGaInP系材料からなるクラッド層と、p型電流拡散層とを積層した構造の発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記p型電流拡散層が、組成の異なる半導体材料の4層以上の多層構造から成る多層電流拡散層により構成されていることを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/30

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  C23C 16/30

Fターム (22件)：

4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA51 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11 ,  5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-030819   出願人：三菱電線工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-336798   出願人：シャープ株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009638   出願人：ソニー株式会社