特許

J-GLOBAL ID：200903082583305230

集積電子装置

発明者： バーラム ジャラリ-ファラハニ ,  クリフォード アラン キング
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330725
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186172
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 製造が容易な比較的平坦な構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 集積回路におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタは、真性ベース部分(60)および外因性ベース部分(70)を有する。真性ベース部分は、実質的にエピタキシャルシリコン-ゲルマニウム合金からなる。外因性ベース部分は、実質的に多結晶材料からなり、イオン注入された不純物の分布を含む。エミッタ(80)は、真性ベース部分を覆い、スペーサ(100)はエミッタを少なくとも部分的に覆う。スペーサは、少なくともイオン注入される不純物の横方向の広がりの特性距離だけ外因性ベース部分にオーバハングする。

請求項（抜粋）：

それぞれが第1、第2、および第1の導電形を有するコレクタ、ベース、およびエミッタからなるヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む集積電子装置において、(a)前記ベースは、真性ベースおよび外因性ベースからなり、(b)前記エミッタおよびコレクタは、実質的に単結晶シリコンからなり、(c)前記真性ベースは、前記エミッタとコレクタとの間に含まれており、実質的にエピタキシャルシリコン-ゲルマニウム合金からなり、(d)前記外因性ベースは、前記真性ベースおよび前記エミッタと横方向に隣接し、実質的に多結晶シリコンおよび多結晶シリコン-ゲルマニウム合金からなり、(e)前記外因性ベースは、イオン注入された第2の導電形の不純物を含み、(f)前記エミッタは、所定のオーバハング長だけ前記外因性ベースに部分的にオーバハングする誘電体スペーサにより部分的に覆われており、(g)前記オーバハング長は、イオン注入された不純物の横方向の広がり特性の距離に少なくとも等しいことを特徴とする集積電子装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/165 ,  H03K 3/286 ,  H03K 19/082

FI (5件)：

H01L 29/72 ,  H03K 3/286 F ,  H03K 19/082 ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/165

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-179235
  
• 特開平3-209833
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044367   出願人：株式会社東芝