特許
J-GLOBAL ID：200903073357435644

半導体装置及びその製造方法

発明者：
井納 和美

井納 和美 について

, 
勝又 康弘

勝又 康弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254611
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル技術を用いたバイポーラトランジスタにおいて、リソグラフィ工程での合わせずれを見込む必要と、ベース引き出し電極とのコンタクトを取る必要をなくし、素子の微細化及びベース・コレクタ間容量の低減をはかり得る半導体装置を提供すること。【構成】 バイポーラトランジスタを構成する半導体装置において、周囲が埋込み絶縁膜4で素子分離されたn型コレクタ領域3と、埋込み絶縁膜4及びコレクタ領域3上に形成されたp型ベース領域12と、このベース領域12上に形成され、端部が埋込み絶縁膜4上に位置し、且つ中央部にコレクタ領域3上に位置する開口11が設けられたエッチングストッパ膜9と、このエッチングストッパ膜9の開口11に露出したベース領域12の部分に形成されたn型エミッタ領域14とを具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
周囲が第1の絶縁膜で埋め込まれた第1導電型の第1の半導体領域と、これら第1の絶縁膜及び第1の半導体領域上に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、この第2の半導体領域上に形成され、端部が第1の絶縁膜上に位置し、且つ中央部に第1の半導体領域上に位置する開口が設けられた第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜の開口に露出した第2の半導体領域の部分に形成された第1導電型の第3の半導体領域とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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