特許

J-GLOBAL ID：200903082637620993

正特性サーミスタ材料

発明者： 上野 寿輝 ,  徳田 隆 ,  一ノ瀬 昇
出願人/特許権者： 北辰工業株式会社
代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029358
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 常態で10-3〜10-2Ω・cmの比抵抗を有し、温度上昇時の比抵抗の上昇幅が比較的広い、新規な正特性サーミスタ材料を提供する。【解決手段】 Bi、Pb、Zn、AlおよびSnから選択される少なくとも一種の金属と、Ta2O5、Al2O3、およびSiO2などの絶縁性セラミックスとを複合化してコンポジットとする。

請求項（抜粋）：

Bi、Pb、Zn、Al、およびSnから選択される少なくとも一種の金属(M)と、絶縁性のセラミックス(Cer)から選択される少なくとも一種とを複合化したコンポジットからなることを特徴とする正特性サーミスタ材料。

IPC (2件)：

C04B 35/495 ,  H01C 7/02

FI (2件)：

C04B 35/00 J ,  H01C 7/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体磁器材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-278482   出願人：宇部興産株式会社
• PTCR素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315991   出願人：岡田益男, ティーディーケイ株式会社
• 特開昭62-214601