特許
J-GLOBAL ID：200903082663640102
レーザ装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148424
公開番号（公開出願番号）：特開2004-094200
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】レーザ光源の安定化、高出力化を図り、装置を小型・軽量化する。【解決手段】LiTaO3基板1に分極反転層3を形成した後、光導波路を形成する。このように形成された光波長変換素子を低温アニールすることで高温熱処理時に生じた屈折率上昇を低下させた安定プロトン交換層8aを形成することで、安定な光波長変換素子が得られる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体レーザを含んだ少なくとも1つ以上のレーザ光源と、
該レーザ光源から出たレーザ光を空間変調素子に照射する第1の光学系と、
該空間変調素子から出た光をスクリーンに照射する第2の光学系と
を備えたレーザ装置であって、
該レーザ光源は、
高調波を生成する光波長変換素子と、
該半導体レーザからのレーザ光を該光波長変換素子に伝えるシングルモードファイバーと、
をさらに備えている、レーザ装置。
IPC (8件)：
G02B26/10
, G02F1/13
, G02F1/377
, G11B7/125
, G11B7/135
, H01S3/094
, H01S3/109
, H01S5/022
G02B26/10 Z
, G02F1/13 505
, G02F1/377
, G11B7/125 A
, G11B7/135 A
, H01S3/109
, H01S5/022
, H01S3/094 S
2H045DA00
, 2H088EA13
, 2H088EA44
, 2H088EA49
, 2H088HA28
, 2K002AA05
, 2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA02
, 2K002DA06
, 2K002EA03
, 2K002EA07
, 2K002FA22
, 2K002FA26
, 2K002GA05
, 2K002HA20
, 5D789AA01
, 5D789AA42
, 5D789BA01
, 5D789FA04
, 5D789FA05
, 5D789JA28
, 5D789JA35
, 5F072AB01
, 5F072KK12
, 5F072MM03
, 5F072PP07
, 5F072QQ02
, 5F072RR03
, 5F072YY16
, 5F072YY20
, 5F073AA64
, 5F073AB23
, 5F073AB25
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA04
, 5F073BA09
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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