特許

J-GLOBAL ID：200903082664525412

半導体装置の製造方法

発明者： 今村 友美 ,  片伯部 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-135029
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321009
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板や絶縁基板を洗浄する場合、洗浄度が上がらなかったり、洗浄時間を要することがある。【解決手段】 少なくとも2種の処理液を順次用いて基板を洗浄する洗浄手順を連続して2回以上繰り返す。その際、1つの処理の処理時間を従来より減らす。

請求項（抜粋）：

2種以上の処理液を順次用いてウェハを洗浄する工程を連続して2回以上繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/04

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 S ,  B08B 3/04 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-092227   出願人：ソニー株式会社