特許

J-GLOBAL ID：200903082687209771

放射ディテクタ、放射ディテクタ製造方法、および放射ディテクタを備える装置

発明者： ニチアノフ,ストヤン ,  ヴァン デル シウス,アリー,ヨハン ,  モエスト,ベアラッチ ,  ケンパー,ペトルス,ウィルヘルムス,ヨゼフス,マリア ,  ハースト,マルク,アントニウス,マリア ,  バース,ジェラルダス,ウィルヘルムス,ペトルス ,  ナンバー,リス,カレン ,  サルッビ,フランシスコ ,  シューワー,アントニウス,アンドレアス,ヨハネス ,  ゴメーレン,グレゴリー,ミカ ,  ポット,マルティン ,  ソルテス,トーマス,ルドヴィカス,マリア
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-158609
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016817
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】本発明は、放射ディテクタ、放射ディテクタの製造方法、および放射ディテクタを含むリソグラフィ装置に関する。【解決手段】放射ディテクタは放射感応性表面を有する。放射感応性表面は、10〜200nmの波長の放射および/または荷電粒子に感応する。放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第1電極、および第2電極を有する。シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第1表面側の表面領域内に設けられる。ドーパント層は、シリコン基板の第1表面側に設けられる。ドーパント層は、ドーパント材料の第1層と、第2層とを有する。第2層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第1表面側の表面領域に接する。第1電極はドーパント層に接続される。第2電極はシリコン基板に接続される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

放射感応性表面を有する放射ディテクタであって、 ドーピングプロファイルを有する第1表面側に表面領域を有するシリコン基板、 前記シリコン基板の前記第1表面側に設けられ、ドーパント材料の第1層および第2層を含むドーパント層であって、前記第2層は、前記シリコン基板の前記第1表面側の前記表面領域に接する拡散層である、ドーパント層、 前記ドーパント層に接続された第1電極、および 前記シリコン基板に接続された第2電極 を備え、 前記シリコン基板の前記第1表面側の前記表面領域と前記第2層は、前記放射感応性表面を形成する、放射ディテクタ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L21/30 516C

Fターム (11件)：

5F046DB01 ,  5F046DC12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA07 ,  5F049NB10 ,  5F049QA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS02 ,  5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光電変換半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007097   出願人：セイコー電子工業株式会社