特許

J-GLOBAL ID：200903082701547251

半導体光デバイス

発明者： 笠谷 和生 ,  三冨 修 ,  永沼 充
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162980
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074396
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 複数のデバイスを集積化した半導体光機能素子と光ファイバ間を低損失で光結合することができる小形で製作が容易なテーパ導波路を提供する。【構成】 半導体光デバイスは半導体基板301上に導波路コア層302の幅または厚さの少なくとも一方を光伝搬方向に沿って徐々に変化させた埋め込み型のテーパ導波路を形成するテーパ導波路は少なくとも1層からなる導波路コア層302とメサ状に加工したクラッド層303,304,305,309から構成される。クラッド層は基板材料に比べ高い屈折率を持つ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、コア層の幅または厚さの少なくとも一方を光伝搬方向に沿って徐々に変化させた埋め込み型のテーパ導波路であって、少なくとも1層からなるコア層とメサ状に加工したクラッド層から構成され、前記クラッド層は基板材料に比べ高い屈折率を持つことを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-228380
  
• 特開昭60-089990
  
• 特開平4-360105