特許

J-GLOBAL ID：200903082717485914

位相反転マスクの製造方法

発明者： 崔 容 奎
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083066
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 信頼性を向上させ、かつ工程を容易にし得る位相反転マスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 第1感光膜パターン22aをマスクに遮光層をパターニングにして遮光層パターン21aを形成した後、第1感光膜パターン22aを残したまま第2感光膜パターン24aを形成し、この第2感光膜パターン24aと第1感光膜パターン22aをマスクとして透光性基板20を食刻して位相反転領域25を形成する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に遮光層を形成し、さらにこの遮光層上に第1マスク層パターンを形成する工程と、前記第1マスク層パターンをマスクとして前記遮光層をパターニングして複数個の遮光層パターンを形成する工程と、前記第1マスク層パターン上を含む前記透光性基板上の全面に第2マスク層を形成する工程と、前記遮光層パターンと遮光層パターンとの間の前記透光性基板が露出するように第2マスク層をパターニングして第2マスク層パターンを形成する工程と、前記第1及び第2マスク層パターンをマスクとして前記透光性基板に位相反転領域を形成する工程とを具備することを特徴とする位相反転マスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ホトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179636   出願人：松下電子工業株式会社