半導体力学量センサ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162641
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018019
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】何らかの理由により可動部と他の部材(例えば、対向して配置された電極)とが接触しようとする際の不具合等を解消することができる半導体力学量センサ及びその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1にはポリシリコン薄膜よりなる梁構造の可動部3が配置され、可動部3はシリコン基板1の上方に所定間隔を隔てて配置されている。可動部3の表面は、シリコン窒化膜よりなる保護膜33a,33bにて覆われている。可動部3を励振した状態でヨーレートが作用すると、可動部3が基板1の表面に垂直な方向に変位する。この変位に伴いソース・ドレイン電極でのドレイン電流が変化し、このドレイン電流の変化からヨーレートを検出する。過大な力が加わり、可動部3の励振用可動電極部と励振用固定電極とが接近しても保護膜33a,33bにて両者の接触は回避される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置され、力学量の作用に伴う変位に基づいて力学量を検出するための薄膜よりなる梁構造の可動部と、前記可動部の表面を被覆する保護膜とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 C , G01L 9/04 101 , G01P 15/125

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体加速度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-045890 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-192370
特開平3-114272

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審査官引用 (10件)

半導体加速度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-045890 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-192370
特開平4-192370

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