特許
J-GLOBAL ID:200903082727819357

実質的に透明な伝導層構成の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-529947
公開番号(公開出願番号):特表2006-502535
出願日: 2002年08月22日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法であって、層構成がいずれかの順序で場合により式(I)[式中、nは1より大きくそしてR1およびR2のぞれぞれは独立して水素または場合により置換されていてもよいC1-4アルキル基を表わすか或いは一緒になって場合により置換されていてもよいC1-4アルキレン基または場合により置換されていてもよいシクロアルキレン基、好ましくはエチレン基、場合によりアルキル-置換されていてもよいメチレン基、場合によりC1-12アルキル-もしくはフェニル-置換されていてもよいエチレン基、1,3-プロピレン基もしくは1,2-シクロヘキシレン基を表わす]により示される構造単位を含有してもよい真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも含んでなり、この方法が写真処理により第二の層を生成せしめる段階を含んでなる方法、並びにこの方法に従い製造される発光ダイオード、光電池装置、トランジスターおよびエレクトロルミネセント装置。
請求項(抜粋):
支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法であって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を製造する段階を含んでなる方法。
IPC (7件):
H01B 13/00 ,  G03C 1/00 ,  G03C 8/06 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 31/04
FI (8件):
H01B13/00 503D ,  H01B13/00 503B ,  G03C1/00 C ,  G03C8/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/28 ,  H01L31/04 H
Fターム (14件):
2H023AA00 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5F051DA07 ,  5F051FA04 ,  5G323BA03 ,  5G323BA05 ,  5G323BB06 ,  5G323BC03 ,  5G323CA04
引用特許:
出願人引用 (7件)
  • 米国特許第3,664,837号明細書
  • 独国特許第1,938,373号明細書
  • 米国特許第3,600,185号明細書
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審査官引用 (3件)

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