特許

J-GLOBAL ID：200903082732908473

半導体装置

発明者： 中島 力 ,  須藤 克彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054935
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261210
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】支持電極体の硬度を放熱板の硬度よりも硬くすることにより支持電極体の放熱板への圧入に伴う半導体チップの破壊を防止する。【解決手段】熱膨張緩和電極体5を中間に介して半導体チップ1を高温半田を用いて接合支持する支持電極体3aと、前記支持電極体3aを圧入する穴部を有する放熱板9aを備え、前記半導体チップ1に発生した熱を前記放熱板9aを介して放熱する半導体装置において、前記支持電極体3aの硬度を前記放熱板のそれよりも大きくする。

請求項（抜粋）：

熱膨張緩和体を中間に介して半導体チップを高温半田を用いて接合支持する支持電極体と、前記支持電極体を圧入する穴部を有する放熱板を備え、前記半導体チップに発生した熱を前記放熱板を介して放熱する半導体装置において、前記支持電極体の硬度は前記放熱板のそれよりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 25/07

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 25/04 A

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB03 ,  5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-019828
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113035   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭55-019828
  
• 特開昭55-019828