特許

J-GLOBAL ID：200903082752574563

光励起式機能デバイス及びその製造方法

発明者： 本多 俊夫 ,  井本 努
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003593
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197140
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 高温や紫外光に対する耐久性が乏しい基板材料にも適用でき、使用時の光の入射方向が制限されることのない、太陽電池や光触媒等を構成する光励起式機能デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 透明なプラスチックフィルム基板1aの上に、焼結時に照射する紫外光(波長λ0 )を選択的に反射する反射層10を予め形成しておく。反射層10は、波長λ0の光に対して透明で、屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電体層を、交互に繰り返し積層した誘電体多層膜である。反射層10の上にITO等の透明電極2、及び酸化チタン等の半導体微粒子層3aを積層する。この半導体微粒子層3aに対し、基板1aの耐熱温度未満の低い温度に加熱しながら紫外光を照射して半導体微粒子を焼結し、半導体層3を形成する。紫外光の照射は、半導体微粒子層3aの側から行い、例えば、低圧水銀灯から出射される波長253.7nmの光を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透光性の基体上に透光性の導電層と、光増感色素を保有した半導体層とが積層して形成され、前記光増感色素への光入射により発生した電子が前記半導体層を介して前記導電層へ取り出される色素増感型光電変換装置として構成された光励起式機能デバイスの製造方法において、前記基体上に紫外光を反射する反射層を形成する工程と、前記反射層上に前記導電層を形成する工程と、前記導電層上に半導体微粒子層を形成する工程と、前記半導体微粒子層の側から前記紫外光を照射することにより前記半導体微粒子層を焼結して前記半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする、光励起式機能デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01M14/00 ,  B01J35/02 ,  H01L31/04

FI (3件)：

H01M14/00 P ,  B01J35/02 J ,  H01L31/04 Z

Fターム (44件)：

4G069AA08 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA22A ,  4G069BA22B ,  4G069BA48A ,  4G069BB08A ,  4G069BB08B ,  4G069BC02A ,  4G069BC02B ,  4G069BC16A ,  4G069BC16B ,  4G069BD15A ,  4G069BD15B ,  4G069CC40 ,  4G069CD10 ,  4G069EA07 ,  4G069EB15Y ,  4G069EC28 ,  4G069FA03 ,  4G069FB15 ,  4G069FB58 ,  5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA21 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB10 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光電変換素子および光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-285461   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 酸化物薄膜を備えたプラスチックフィルム及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300323   出願人：株式会社日立製作所, 日東電工株式会社