特許

J-GLOBAL ID：200903082755276601

半導体装置およびその作製方法

発明者： 河崎 律子 ,  笠原 健司 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370961
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230420
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能なTFTを実現することを目的とする。【解決手段】 下地にメタルや高熱伝導度絶縁膜を用いずに、従来の絶縁膜のみを使用して温度勾配を作り、所望の位置に下地絶縁膜の段差を設け段差形状に対応して発生する半導体内部の温度分布を利用してラテラル成長の発生場所、方向を制御する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有する半導体装置であって、前記絶縁膜は凸部を有しており、前記半導体膜は凸部と凸部のない領域とに連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ及びこの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-151212   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067983   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-078965   出願人：三洋電機株式会社