特許
J-GLOBAL ID：200903082769341392

量子井戸半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
遠藤 健司

遠藤 健司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226566
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 共振器端面近傍の量子井戸層のバンドギャップを広くした、所謂窓構造付きレーザを欠陥少なく安定して作製しうるようにする。【構成】 n型GaAs基板101上にn型GaInPベース層102を成長させ、後に活性層を形成するストライプ領域の両側にSiO2 からなる成長阻止マスク103を形成する。マスク103は共振器端面の近傍で狭く、中央部で広くなる形状に形成される[(a)図]。MOCVD法によりn型GaInPクラッド層104、InGaAs量子井戸活性層105およびp型GaInPクラッド層106を順次堆積する[(b)図]。マスク103の端部を選択的に除去して[(c)図]から、p型GaInP埋め込み層107を形成し、マスク103を除去する[(d)図]。その後、活性層上および基板裏面に電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板または半導体ベース層上に第1導電型クラッド層、量子井戸活性層および第2導電型クラッド層を有するストライプ状積層体が形成され、該ストライプ状積層体の両側に溝を挾んで前記ストライプ状積層体と同一構造の積層体が形成されている量子井戸半導体レーザにおいて、前記溝はその幅が共振器の端面部近傍で中央部よりも狭く形成され、前記量子井戸活性層の量子井戸層はその膜厚が共振器の端面部近傍で中央部よりも薄く形成されていることを特徴とする量子井戸半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体レーザの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127305   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平4-180686
  • 特開平4-303982
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