特許
J-GLOBAL ID：200903082786367184
表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 飯塚 敬子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-187105
公開番号（公開出願番号）：特開2008-014832
出願日： 2006年07月06日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】 試料の表面における電荷量を簡便に計測することが可能な表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法を提供すること。【解決手段】 表面上方を浮遊するプローブ粒子Pを用いて試料21の表面21aでの電荷量を計測する表面電荷量計測装置1Aであって、光源2と、プローブ粒子Pの像(プローブ像)を得る結像光学系3と、プローブ像を撮像してプローブ画像を得る撮像装置4と、プローブ画像からプローブ粒子Pの位置分布を取得し、当該位置分布から試料21の表面21aでの電荷量を計測する画像処理装置10とを備える。画像処理装置10は、予め格納されたプローブ画像におけるプローブ粒子Pの大きさを規定する値である直径とプローブ粒子Pの試料S表面からの距離との関係を示す校正データと撮像装置4によって撮像されたプローブ粒子Pの直径とに基づいて、プローブ粒子Pの位置分布を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
荷電した複数のプローブ粒子を上方に浮遊させて荷電試料の表面での電荷量を計測する表面電荷量計測装置であって、
前記複数のプローブ粒子の位置分布を算出する位置分布算出手段と、
前記位置分布に基づいて前記試料表面での電荷量を算出する電荷量算出手段と、を備えることを特徴とする表面電荷量計測装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01R29/24 A
, G01R29/24 J
