特許
J-GLOBAL ID:200903082799223572
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西藤 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-288849
公開番号(公開出願番号):特開平8-213518
出願日: 1995年11月07日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【構成】半導体素子が樹脂硬化体で封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上である。【効果】上記の特殊な熱物性を有する樹脂硬化体を用いた半導体装置は、反りの発生がなくなり、またTCTテスト特性や耐クラック性にも優れるようになる。
請求項(抜粋):
半導体素子が樹脂硬化体で封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/62 NKK
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開昭55-165655
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特開昭62-201925
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特開平2-070721
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