露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084231
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283904
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】位相シフト多重露光法により微細パターンを形成する際、2回目以降の通常露光で、リーク露光によって線幅が変動し所望の線幅が得られない。【解決手段】フォトレジスト層に対し線幅制御性が厳しい箇所3のパターンを位相シフトパターン4を用いて転写する高解像度露光と、高解像度露光により既にパターン転写されたフォトレジスト層部分をマスクパターンの遮光部2aにより保護しながら、フォトレジスト層に対し線幅制御性が比較的にゆるい箇所のパターン2を位相シフトパターンを用いることなく転写する通常露光とを含む複数回露光により、フォトレジストの潜像パターンを形成する。高解像度露光では、線幅制御性が厳しい箇所3の高解像度露光後の転写パターン線幅が所望の線幅より太くなる露光条件(例えば、露光量)を用いる。そして通常露光後、当該箇所3で所望の線幅を得る。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト層に対し線幅制御性が厳しい箇所のパターンを位相シフトパターンを用いて転写する高解像度露光と、前記高解像度露光により既にパターン転写されたフォトレジスト層部分をマスクパターンの遮光部により保護しながら、前記フォトレジスト層に対し線幅制御性が比較的にゆるい箇所のパターンを位相シフトパターンを用いることなく転写する通常露光とを含む複数回露光により、フォトレジストの潜像パターンを形成する露光方法であって、前記高解像度露光では、前記線幅制御性が厳しい箇所の当該高解像度露光後の転写パターン線幅が所望の線幅より太くなる露光条件を用い、前記通常露光後に、当該線幅制御性が厳しい箇所で所望の線幅を得る露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 502 C , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-076551
位相シフトマスクパターニングのためのi線ステッパリソグラフィ法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-180110 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
特開平4-268556

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