特許

J-GLOBAL ID：200903082820968605

不揮発性メモリセルおよびそれを用いた半導体装置および不揮発性メモリの形成方法

発明者： 魏 志強
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-118877
公開番号（公開出願番号）：特開2007-293969
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】抵抗変化素子の動作電流を削減、信頼性を改善することが可能な不揮発メモリセル、半導体装置、および不揮発性メモリセルの形成方法を提供する。【解決手段】印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層11と、抵抗変化層11を挟む第1の電極104および第2の電極102と、を備える抵抗変化型素子と、第1の電極104または第2の電極102が第3の電極106の間に絶縁膜105を備えるキャパシタ12から形成される不揮発性メモリセルである。キャパシタに電圧印加し、ブレークダウンさせて、キャパシタの抵抗成分は抵抗変化素子の低抵抗状態と同じ程度の値とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

印加される電気的なパルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化素子と、並列接続する抵抗成分と容量成分とを有するキャパシタを前記抵抗変化素子に直列接続したことを特徴する不揮発性メモリセル。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164659   出願人：三星電子株式会社