特許
J-GLOBAL ID:200903082823101980

集積化された半導体における検査構造部

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-047190
公開番号(公開出願番号):特開2001-298062
出願日: 2001年02月22日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】 集積回路のチップ面に関する検査可能な個別構造部ないしは検査構成要素の数を増加させること。【解決手段】 検査構成要素は複数のトランジスタであり、少なくとも2つのトランジスタがそれぞれ2つの隣接するコンタクト面の間に配置されてこれらの隣接するコンタクト面に接続されており、それによって電圧が前記コンタクト面を介して前記トランジスタに印加可能であり、前記トランジスタのゲート端子は、スイッチング電流供給のためにさらなるコンタクト面に接続されるように構成する。
請求項(抜粋):
ウエハ上の検査構成要素(3)に電圧を印加するためのコンタクト面(2)を有し、該コンタクト面(2)の間に前記検査構成要素(3)が配設されている、検査構造領域(1)において、前記検査構成要素(3)は複数のトランジスタであり、少なくとも2つのトランジスタ(3)がそれぞれ2つの隣接するコンタクト面(2)の間に配置されてこれらの隣接するコンタクト面(2)に接続されており、それによって電圧が前記コンタクト面(2)を介して前記トランジスタ(3)に印加可能であり、前記トランジスタ(3)のゲート端子(6)は、スイッチング電流供給のためにさらなるコンタクト面に接続されていることを特徴とする検査構造領域。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
FI (4件):
H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 E ,  G01R 31/26 B ,  G01R 31/26 G
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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