シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309130
公開番号（公開出願番号）：特開2007-138295
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。【解決手段】第1の蒸着プロセスに係る処理空間に第1のプロセスガス組成を導入し、基板上に第1の膜を堆積させ、第1の処理空間よりサイズが異なる第2の処理空間に第2のプロセスガス組成を導入し、そして第2のプロセスガス組成から基板上に第2の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第1のボリュームを有する第1の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第1の処理空間の少なくとも一部を含んで、第1のボリュームと異なる第2のボリュームを有する第2の処理空間を含む。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

蒸着システムの基板上へ材料を堆積させる方法であって、前記基板より上に規定される第1の処理空間を有する前記蒸着システムに前記基板を配置することと; 第1の蒸着プロセスによる前記第1の処理空間に第1のプロセスガス組成を導入することと; 前記基板上に第1の膜を堆積させることと; 前記第1の処理空間とサイズの異なる第2の処理空間に第2のプロセスガス組成を導入することと; 前記第2のプロセスガス組成から前記基板上に第2の膜を堆積させることとを具備する方法。

IPC (7件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , C23C 16/50 , H01L 21/285 , H01L 21/28

FI (8件)：

C23C16/44 B , H01L21/205 , H01L21/31 B , H01L21/31 E , H01L21/316 X , C23C16/50 , H01L21/285 C , H01L21/28 301R

Fターム (63件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA09 , 4K030BA17 , 4K030BA21 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA41 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BA48 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA04 , 4K030HA01 , 4K030JA18 , 4K030KA20 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB19 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104FF13 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB14 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045BB02 , 5F045EE17 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EM10 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BG04

引用特許：

出願人引用 (8件)

ハイブリッド化学処理装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-384954 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-142795 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体ウエハ成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-188522 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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