特許
J-GLOBAL ID：200903083296901227

半導体膜の改良された堆積方法

発明者：
トッド マイケル エー.

トッド マイケル エー. について

, 
ホーキンス マーク アール.

ホーキンス マーク アール. について


出願人/特許権者：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (5件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-578556
公開番号（公開出願番号）：特表2004-529496
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なSi含有薄膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
均一性の高いSi含有材料を表面上に堆積する方法であって、 内部に基板を配置したチャンバを用意するステップであって、トリシラン蒸気を用いた堆積に対して実質的に輸送量制限される条件を確立するように選択された温度に、前記基板を制御するステップと、 トリシランの代わりにシランを用いた堆積と比べて、堆積の均一性を改良するように選択された流れで、トリシランを含むガスを前記チャンバに導入するステップと、 Si含有膜を前記基板上に堆積するステップとを含む方法。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/285 301 ,  H01L21/316 X
Fターム (71件)：
4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA09 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA41 ,  4K030LA12 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB40 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30
引用特許：
審査官引用 (15件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • エピタキシャル成長のメカニズム

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