基板の処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小山有 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301400
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144659
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】ロードロック室を備えた処理装置における当該ロードロック室への不活性ガスの導入時間を短縮する。【解決手段】処理装置のロードロック室3に窒素ガス等を導入する配管18の途中にロードロック室よりも大容量のバッファタンク19を設け、処理室2内でアッシング処理等を行っている間に、弁機構21を操作し、バッファタンク19よりロードロック室3内に窒素ガスを導入し、ロードロック室3内を大気圧にする。

請求項（抜粋）：

基板を減圧下で処理する処理室と、この処理室に隣接するロードロック室とを備えた基板の処理装置において、前記ロードロック室には不活性ガスを導入するための配管が接続され、この配管の途中にはロードロック室よりも大容量のバッファタンクが設けられていることを特徴とする基板の処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

真空室用ガス導入装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-204050 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平2-184333
特開昭59-231816

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