特許
J-GLOBAL ID：200903082840573364
磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230472
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 従来の磁気トンネル接合(MTJ)素子ではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、両端部には磁極が発生し、さらに、磁気メモリの高密度化を図るにはMTJ素子を微細化する必要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。【解決手段】 MTJ素子1のメモリ層となる強磁性層14の上に、金属層15、16を介するとともに中央部を離間して閉磁路層17を設ける。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1磁性層、絶縁層、第2磁性層を順に積層した磁気トンネル接合素子であって、少なくとも前記第1又は第2磁性層の前記絶縁層積層側と異なる側に、金属層を介するとともに中央部を離間して第3磁性層を設け、第1及び第3磁性層又は第2及び第3磁性層により閉磁路を構成したことを特徴とする磁気トンネル結合素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01F 10/32
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
