特許

J-GLOBAL ID：200903070132788735

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法

発明者： ジークフリート シュヴァルツル
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565541
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522915
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】メモリセル装置において、第1及び第2の導体が設けられており、それらの交点に磁気抵抗効果を有するメモリ素子が設けられている。各導体の内の一方をそれぞれ囲み、且つ、少なくとも10の透磁率の磁化可能材料を含むヨークが設けられている。ヨークは、当該ヨークを通る磁束が実質的にメモリ素子を介して閉じられるように設けられている。

請求項（抜粋）：

メモリセル装置において、-第1の導体(L1)及び第2の導体(L2)及び磁気抵抗効果を有するメモリ素子(SE)を設け、-前記第1の導体(L1)と前記第2の導体(L2)との交点位置に前記メモリ素子を設け、-ヨーク(J)を設け、該ヨークは、前記各導体の内の一方(L2)を部分的に囲み、且つ、少なくとも10の相対透磁率の磁化可能材料を含み、-前記ヨーク(J)は、当該ヨークを通る磁束が実質的に前記メモリ素子(SE)を介して閉じられるように設けられていることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 U ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (11件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-276238   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気メモリおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326133   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開平2-093373