特許
J-GLOBAL ID：200903082868397847
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-248792
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081243
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】ウェーハ上の検査対象チップの位置を正確に特定可能な検査工程を有する、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置に、1露光ショット内でのこの半導体装置の配置を示す情報(ユニークキー)を出力する回路を設ける工程を有する。また、特定の半導体装置のユニークキーを読み出すとともにこの半導体装置を検査する工程と、この特定の半導体装置のユニークキーが、予め設定された値と一致するか否かを判定する工程とを有する。これにより、検査が正しい位置(正しい半導体チップ)から開始されたかどうかを判定することができる。なお、上記半導体装置を形成するための露光に用いるフォトマスクには、この半導体装置のパターン領域が複数形成され、それぞれの半導体装置のパターン領域に互いに異なる上記ユニークキーが設けられるようにして製造することもできる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に1露光ショットで複数の半導体装置を形成する工程と、基板状態で該半導体装置を検査する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
上記1露光ショット内の各半導体装置の形成領域のそれぞれに、該1露光ショット内での該半導体装置の配置を示す情報(以下「ユニークキー」という)を出力する回路を設ける工程と、
特定の半導体装置のユニークキーを読み出すとともに該半導体装置を検査する工程と、
上記特定の半導体装置のユニークキーが、予め設定された値と一致するか否かを判定する工程と、
を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106DD13
, 4M106DD30
, 4M106DJ20
