半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094251
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310606
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】埋め込みコンタクトのプラグの密着性を高め、コンタクト抵抗を低減し、製造プロセスの信頼性を向上させる。【構成】 Al上層配線層4aをマスクとし、その開口部5内に表出する層間絶縁膜1をエッチングしてビアホール7を形成した後、ウェハの全面にTiN密着層8、続いてBlk-W層9を成膜する。さらに、Blk-W層9をエッチバックしてWプラグ9pを形成し、最後にTiN密着層8とAl上層配線層4aを同時にパターニングする。深いビアホール7内でプラグの密着性が向上し、またTiN密着層8がAl上層配線層4aの上表面へ延在されているので、コンタクト抵抗も低減される。プロセス中、TiN密着層8a単独のエッチバックが不要となるので、プラグの浸食が生じない。密着層を用いずに、Blk-W層の一部を延在させても良い。

請求項（抜粋）：

上層配線層と層間絶縁膜との厚さ方向にわたって開口され下層配線層に臨む接続孔を有し、この接続孔の内部に埋め込まれるプラグ材料層の少なくとも一部が前記上層配線層の上表面へ延在されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-264239
特開昭55-019880
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-167119 出願人：三洋電機株式会社

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