プラズマ処理方法および装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199372
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039015
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するPoly-Si層側壁サイドエッチングや下地Si層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。【解決手段】Arガス、Heガス、Ar+He混合ガス、及びこれらのガスにCH4を混合したガスを用い、40°C以上の温度を維持してHfO2等の高誘電率ゲート絶縁膜32をガスプラズマエッチング処理することによって、Poly-Si層33、下地Si層31、SiO2マスク34と、HfO232のエッチング選択比を確保し、HfO2プラズマエッチング時のPoly-Siゲート部側壁33のサイドエッチングや下地Si層31のロス量を低減させる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

HfO2,HfSiO2,HfSixNy,HfSiON,HfAlxOy,ZrO2,La2O3,(Al,Hf)Ox,Y2O3のいずれかからなる高誘電率ゲート絶縁膜を用いたトランジスタモジュールを形成する試料を電極に静電吸着してプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記高誘電率ゲート絶縁膜のエッチング処理に、不活性ガスを用いたプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/302 104Z , H01L21/28 E , H01L27/08 321D , H01L29/78 301G

Fターム (39件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD67 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F004AA05 , 5F004BB22 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004EB08 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048DA25 , 5F140AA26 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG38 , 5F140BG58

引用特許：

審査官引用 (1件)

HIGH-K誘電材料をエッチングする方法とシステム。
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-532962 出願人：東京エレクトロン株式会社

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