特許

J-GLOBAL ID：200903082913749245

誘電体薄膜、誘電体薄膜キャパシタおよび誘電体薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 植田 喜樹
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-075083
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235088
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 誘電体薄膜32は、一般式BaxSryTiO3で表わされ前記xおよびyがx+y<1を満たす主成分と、前記主成分100molに対して3mol以下(0molを含まない)のCeと、を含有する。これにより、CeがAサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一般式BaxSryTiO3で表わされ前記xおよびyがx+y<1を満たす主成分と、 前記主成分100molに対して3mol以下(0molを含まない)のCeと、を含有する誘電体薄膜。

IPC (9件)：

H01B 3/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/314 ,  C01G 23/00 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33

FI (8件)：

H01B3/12 303 ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/04 C ,  H01L21/314 A ,  C01G23/00 C ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  H01G4/06 102

Fターム (63件)：

4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CB09 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  5E001AB01 ,  5E001AB06 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E082AB01 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082PP03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB08 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303DA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミック上の薄膜コンデンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-366464   出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

審査官引用 (4件)

• 特開平1-292805
  
• 特開平1-239704
  
• 特開平1-292805
  
• 特開平1-239704