特許
J-GLOBAL ID：200903063933199875

セラミック上の薄膜コンデンサー

発明者：
ウイリアム ジェイ.ボーランド

ウイリアム ジェイ.ボーランド について


出願人/特許権者：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-366464
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210090
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】低インダクタンスおよび短い応答時間などの望ましい電気的および物理特性を有するコンデンサーおよびコンデンサーを形成する方法を提供すること。【解決手段】高いキャパシタンス密度と、その他の望ましい電気的および物理的特性を有する薄膜コンデンサーがアルミナあるいはガラスセラミック等の基板上に形成される。薄膜状に形成されたコンデンサー誘電体は、雰囲気をコントロールされながら800〜1050°Cの高温でアニールされる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電層をその上に有するセラミック基板を提供する工程、 第1導電層の上に誘電体を形成する工程、および 誘電体の上に第2導電層を形成する工程を含み、 前記誘電体を形成する工程が、第1導電層の上に誘電体層を形成する工程、および少なくとも約800°Cの温度でアニーリングする工程を含み、 前記第1導電層、誘電体、および第2導電層がコンデンサーを形成することを特徴とする、1つまたはそれ以上の薄膜コンデンサーを基板上に作製する方法。
IPC (3件)：
H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01G13/00
FI (4件)：
H01G4/12 400 ,  H01G13/00 391B ,  H01G13/00 391E ,  H01G4/06 102
Fターム (26件)：
5E001AB01 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06 ,  5E082PP07 ,  5E082PP09
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,477,034号明細書
審査官引用 (6件)
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