特許

J-GLOBAL ID：200903082914056448

半導体素子

発明者： 澤木 宣彦 ,  本田 善央 ,  小出 典克
出願人/特許権者： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382164
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185041
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系半導体層の積層構造を有する半導体素子をチップ状にカッティングし易くすることにより端面におけるチッピングの発生を抑制する。【解決手段】 本発明に係る半導体素子は、シリコン基板1上にAlxGayInzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層2〜5を有し、シリコン基板1は(112)面から任意の方向に±5度の範囲にある面で構成される主面を有し、この主面上に上記化合物半導体層2〜5を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にAlxGayInzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層を有する半導体素子において、前記シリコン基板は(112)面から任意の方向に±5度の範囲にある面で構成される主面を有し、前記主面上に前記化合物半導体層を有することを特徴とする、半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA18 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76