特許

J-GLOBAL ID：200903082923087330

半導体用単結晶の製造方法

発明者： 只友 一行 ,  渡部 信一 ,  岡川 広明 ,  平松 和政
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092926
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277884
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 青色LED等に用いられる半導体用単結晶の製造方法に関し、更に詳しくはGaN等の単結晶の大面積化を図るための製造方法を提供すること。【構成】 易破壊性の基板上にバッファ層を形成し、次いで該バッファ層上にIII 族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物の単結晶を成長させることを特徴とする半導体用単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

易破壊性の基板上にバッファ層を形成し、次いで該バッファ層上に III族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物の単結晶を成長させることを特徴とする半導体用単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00