特許

J-GLOBAL ID：200903082927041547

イオン源およびそのための蒸発器

発明者： トーマス ネイル ホースキー
出願人/特許権者： イートン コーポレーション
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030620
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】デカボランまたは他の適当な注入材料を、正確にかつ制御可能に蒸発させるためのイオン注入装置のイオン源を提供すること。【解決手段】イオン源50は、イオン源材料68を昇華するキャビティ66を有する昇華器52と、昇華されたイオン源材料をイオン化するためのイオン室58と、昇華器をイオン室に接続する供給チューブ62と、昇華器と供給チューブを加熱する加熱媒体70とを有し、加熱媒体の温度を制御する制御装置は、加熱媒体を加熱するための加熱要素80と、加熱媒体を循環させるポンプ55と、加熱媒体から温度フードバックを供給するサーモカップル92と、加熱要素に第1制御信号94を出力するために温度フィードバックに応答するコントローラ56とを有する。

請求項（抜粋）：

(a) 昇華すべきイオン源材料(68)を受入れ、かつこのイオン源材料を昇華するためのキャビティ(66)を有する昇華器(52)と、(b) この昇華器から離れて配置されかつ昇華されたイオン源材料をイオン化するためのイオン室(58)と、(c) 前記昇華器(52)を前記イオン室(58)に接続するための供給チューブ(62)と、(d) 前記昇華器(52)と供給チューブ(62)の少なくとも一部分を加熱するための加熱媒体(70)とを有することを特徴とするイオン注入装置のイオン源。

IPC (5件)：

H01J 27/02 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (5件)：

H01J 27/02 ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 603 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平6-016385
  
• 薄膜気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-153944   出願人：株式会社荏原製作所
• 特開平1-225117
  
• 特開平4-115520