特許

J-GLOBAL ID：200903082959410501

レーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法

発明者： 小林 融弘 ,  美田 佳三
出願人/特許権者： 大阪大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081598
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザー等の光デバイス素子材料として使用するためには、異なったポリタイプが混在しないことが必要である。さらに、これまでの製造法はいづれも結晶成長を行うのに、長い時間を必要とする。瞬間的な合成法がこれまで待ち望まれてきた。【解決手段】 本発明は強いパルスレーザー光をシリコン基板と有機溶媒との界面に集光することにより瞬間的に高温・高圧を発生させ、単発のパルスレーザー光照射によって瞬間的に6H-SiCのナノクリスタル集合体を短い結晶成長時間で合成することを特徴とするレーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法にある。

請求項（抜粋）：

強いパルスレーザー光をシリコン基板と有機溶媒との界面に集光することにより瞬間的な高温・高圧を発生させ、単発のパルスレーザー光照射によって瞬間的に6H-SiCのナノクリスタル集合体を短い結晶成長時間で合成することを特徴とするレーザーアブレーションによる6H-SiCの製造法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36 ,  C23C 14/28 ,  C30B 30/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

C30B 29/36 A ,  C01B 31/36 A ,  C23C 14/28 ,  C30B 30/00 ,  H01S 3/18