特許
J-GLOBAL ID：200903082984142562
基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335216
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 露光工程から現像工程までの時間を短くし、かつ正確に管理することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】 エッジ露光工程(EEW)の後にパターン露光工程(ST)を行い、その後に、PEB処理工程(PEB)、冷却工程(CP3)を経て現像工程(SD1またはSD2)を行う。これにより、化学増幅型レジストによるレジスト膜にパターンを形成する際に重要な露光工程から現像工程までの時間を短くすることができ、かつ正確に管理することができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成された化学増幅型レジストによるレジスト膜にパターンを形成する処理を含む基板処理方法において、a) 前記レジスト膜においてパターンを形成すべき領域より外側の領域を露光するエッジ露光工程と、b) 前記エッジ露光工程より後に前記レジスト膜に前記パターンを露光するパターン露光工程と、e) 前記パターン露光工程より後に前記レジスト膜を現像する現像工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, B05D 1/32
, B05D 3/00
, B05D 7/00
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 565
, B05D 1/32 Z
, B05D 3/00 Z
, B05D 7/00 H
, G03F 7/38 501
